| 材質， K值 |
標準的X，Y （英寸） |
標準厚度（密耳） |
可用厚度（ MIL ） |
| 氮化鋁， 9.0 |
2 x 2 |
5, 10, 15, 25, 40 |
5-50 |
| 氧化鋁， 9.9 |
2 x 2 |
5, 10, 15, 20 |
5-25 |
| 石英， 3.8 |
2寸圓 |
10 |
5-25 |
| X7R B, 1200 |
1 x 1 |
5, 10 |
4-25 |
| X7R X, 2700 |
1 x 1 |
5, 10 |
4-25 |
| X7R T, 4000 |
1 x 1 |
7, 10 |
4-25 |
| GBBL A, 20,000 |
1.4 x 1.4 |
7, 10 |
5-15 |
| GBBL A, 60,000 |
1.4 x 1.4 |
7, 10 |
5-15 |
注：在氧化鋁和氮化鋁，典型的表面為燒製條件，拋光到2 μ英寸的可
| 金屬 |
沉積方法 |
厚度（埃） |
典型用途 |
| 鈦（Ti） |
濺射沉積 |
200-1,000 |
道閘，附著力 |
| 氮化鈦（ TIN） |
反應濺射德普 |
200-1,000 |
道閘，附著力 |
| 鈦鎢（鎢化鈦） |
濺射沉積 |
200-2,000 |
道閘，附著力 |
| 鎢化鈦氮化物（ TiWN ） |
反應濺射德普 |
200-2,000 |
道閘，附著力 |
| 鎳（Ni） |
濺射沉積 |
200-2,000 |
屏障焊芯片粘接 |
| 鎳（Ni） |
電鍍 |
5,000-25,000 |
屏障焊芯片粘接 |
| 金（Au ） |
Sputter Deposition |
1,000-10,000 |
芯片粘接，引線 |
| 金（Au ） |
電鍍 |
5,000-75,000 |
芯片粘接，引線 |
| 金/錫（金錫-80 / 20） |
NA |
5,000-50,000 |
共晶高可靠性的焊料 |
| 銅（Cu） |
濺射沉積 |
1,000-20,000 |
導體 |
| 鉭（Ta ） |
濺射沉積 |
200-5,000 |
道閘，附著力 |
| 氮化鉭（TaN ） |
反應濺射德普 |
500-5,000 |
電阻（典型的1000A ， 50Ω / □ ） |
根據要求提供其他
| 功能可用 |
最小。寬度（微米）* |
| 滑觸線 |
25 |
| 空間 |
25 |
| 線寬/間距允差 |
5 |
| 激光鑽孔 |
75 |
| 鍍通孔 |
75 |
| 第二層對齊 |
+/- 7 |
| 50Ω / □電阻 |
25 |
| 金錫（80/20） |
毯 | 金錫（80/20）
| 金錫（80/20） |
75 |
* - >微米=微米= 10-6M 25.4μm = 1萬
| 基板材料 |
物料代碼 |
K |
溫度係數 |
工作溫度 |
耗散因數 |
| ALN * | F | 8.8 | 170 W / M °K， （TH ，電導率。 ） | -55到+125度。 C | |
| 氧化鋁* | G | 9.9 | P120 +/- 30 PPM /攝氏度 | -55到+125度。 C | |
| 基於鈦酸酯 | C | 23 | 0 +/- 30 PPM /攝氏度 | -55到+125度。 C | < 0.15 ％ @ 1兆赫 |
| 基於鈦酸酯 |
K |
37 | 0 +/- 30 PPM /攝氏度 | -55到+125度。 C | < 0.15 ％ @ 1兆赫 |
| 基於鈦酸酯 |
N |
80 | 鈦酸B0 +/- 30 PPM /度套管 | -55到+125度。 C | < 0.15 ％ @ 1兆赫 |
| 基於鈦酸酯 |
U |
120 |
-750 +/- 120 PPM /攝氏度 | -55到+125度。 C |
< 0.25 ％ @ 1兆赫 |
| 基於鈦酸酯 |
V |
160 |
-1500 +/- 300 PPM /攝氏度 | -55到+125度。 C |
< 0.25 ％ @ 1兆赫 |
| 基於鈦酸酯 |
R |
280 |
-750 +/- 120 PPM /攝氏度 | -55到+125度。 C |
< 0.25 ％ @ 1兆赫 |
| 基於鈦酸酯 |
L |
350 |
-750 +/- 120 PPM /攝氏度 | -55到+125度。 C |
< 150% @ 1 MHz |
| 基於鈦酸酯 |
D |
600 |
+/- 10% (-55 to +125 C) | -55到+125度。 C |
<2.50 ％ @ 1兆赫 |
| 基於鈦酸酯 |
B |
1200 | +/- 10% (-55 to +125 C) | -55到+125度。 C |
< 2.50 ％ @ 1兆赫 |
| 基於鈦酸酯 |
W |
2000 | +/- 10% (-55 to +125 C) | -55到+125度。 C |
< 2.50 ％ @ 1兆赫 |
| 基於鈦酸酯 |
X |
2700 |
+/- 15% (-55 to +125 C) | -55到+125度。 C |
< 2.50 ％ @ 1兆赫 |
| 基於鈦酸酯 |
T |
4000 |
+/- 15% (-55 to +125 C) | -55到+125度。 C |
< 2.50 ％ @ 1兆赫 |
| 基於鈦酸酯 |
Z |
8000 |
+22 / -56% (+10 to +85 C) | -55到+125度。 C |
< 4.00 ％ @ 1兆赫 |
| 基於鈦酸酯 |
Y |
12000 |
+22 / -82% (-30 to +85 C) | -55到+125度。 C |
< 4.00 ％ @ 1兆赫 |
