| 材质， K值 |
标准的X，Y （英寸） |
标准厚度（密耳） |
可用厚度（ MIL ） |
| 氮化铝， 9.0 |
2 x 2 |
5, 10, 15, 25, 40 |
5-50 |
| 氧化铝， 9.9 |
2 x 2 |
5, 10, 15, 20 |
5-25 |
| 石英， 3.8 |
2 inch round |
10 |
5-25 |
| X7R B, 1200 |
1 x 1 |
5, 10 |
4-25 |
| X7R X, 2700 |
1 x 1 |
5, 10 |
4-25 |
| X7R T, 4000 |
1 x 1 |
7, 10 |
4-25 |
| GBBL A, 20,000 |
1.4 x 1.4 |
7, 10 |
5-15 |
| GBBL A, 60,000 |
1.4 x 1.4 |
7, 10 |
5-15 |
注：在氧化铝和氮化铝，典型的表面为烧制条件，抛光到2 μ英寸的可
| 金属 |
沉积方法 |
厚度（埃） |
典型用途 |
| 钛（Ti） |
溅射沉积 |
200-1,000 |
道闸，附着力 |
| 氮化钛（ TIN） |
反应溅射德普 |
200-1,000 |
道闸，附着力 |
| 钛钨（钨化钛） |
溅射沉积 |
200-2,000 |
道闸，附着力 |
| 钨化钛氮化物（ TiWN ） |
反应溅射德普 |
200-2,000 |
道闸，附着力 |
| 镍（Ni） |
溅射沉积 |
200-2,000 |
屏障焊芯片粘接 |
| 镍（Ni） |
电镀 |
5,000-25,000 |
屏障焊芯片粘接 |
| 金（Au ） |
溅射沉积 |
1,000-10,000 |
芯片粘接，引线 |
| 金（Au ） |
电镀 |
5,000-75,000 |
芯片粘接，引线 |
| 金/锡（金锡-80 / 20） |
NA |
5,000-50,000 |
共晶高可靠性的焊料 |
| 铜（Cu） |
溅射沉积 |
1,000-20,000 |
导体 |
| 钽（Ta ） |
溅射沉积 |
200-5,000 |
道闸，附着力 |
| 氮化钽（TaN ） |
反应溅射德普 |
500-5,000 |
电阻（典型的1000A ， 50Ω / □ ） |
根据要求提供其他
| 功能可用 |
最小。宽度（微米） * |
| 滑触线 |
25 |
| 空间 |
25 |
| 线宽/间距允差 |
5 |
| 激光钻孔 |
75 |
| 镀通孔 |
75 |
| 第二层对齐 |
+/- 7 |
| 50Ω / □电阻 |
25 |
| 金锡（80/20） |
毯 |
| 金锡（80/20） |
75 |
* - >微米=微米= 10-6M 25.4μm = 1万
| 基板材料 |
物料代码 |
K |
温度系数 |
工作温度 |
耗散因数 |
| ALN * | F | 8.8 | 170 W / M °K， （TH ，电导率。 ） | -55到+125度。 C | |
| 氧化铝* | G | 9.9 | P120 +/- 30 PPM /摄氏度 | -55到+125度。 C | |
| 基于钛酸酯 | C | 23 | 0 +/- 30 PPM /摄氏度 | -55到+125度。 C | < 0.15 ％ @ 1兆赫 |
| 基于钛酸酯 |
K |
37 | 0 +/- 30 PPM /摄氏度 | -55到+125度。 C | < 0.15 ％ @ 1兆赫 |
| 基于钛酸酯 |
N |
80 | 0 +/- 30 PPM /摄氏度 | -55到+125度。 C | < 0.15 ％ @ 1兆赫 |
| 基于钛酸酯 |
U |
120 |
-750 +/- 120 PPM /摄氏度 | -55到+125度。 C |
< 0.25 ％ @ 1兆赫 |
| 基于钛酸酯 |
V |
160 |
-1500 +/- 300 PPM /摄氏度 | -55到+125度。 C |
< 0.25 ％ @ 1兆赫 |
| 基于钛酸酯 |
R |
280 |
-750 +/- 120 PPM /摄氏度 | -55到+125度。 C |
< 0.25 ％ @ 1兆赫 |
| 基于钛酸酯 |
L |
350 |
-750 +/- 120 PPM /摄氏度 | -55到+125度。 C |
< 150 ％ @ 1兆赫 |
| 基于钛酸酯 |
D |
600 |
+/- 10% (-55 to +125 C) | -55到+125度。 C |
< 2.50 ％ @ 1兆赫 |
| 基于钛酸酯 |
B |
1200 | +/- 10% (-55 to +125 C) | -55到+125度。 C |
< 2.50 ％ @ 1兆赫 |
| 基于钛酸酯 |
W |
2000 | +/- 10% (-55 to +125 C) | -55到+125度。 C |
< 2.50 ％ @ 1兆赫 |
| 基于钛酸酯 |
X |
2700 |
+/- 15% (-55 to +125 C) | -55到+125度。 C |
< 2.50 ％ @ 1兆赫 |
| 基于钛酸酯 |
T |
4000 |
+/- 15% (-55 to +125 C) | -55到+125度。 C |
< 2.50 ％ @ 1兆赫 |
| 基于钛酸酯 |
Z |
8000 |
+22 / -56% (+10 to +85 C) | -55到+125度。 C |
< 4.00 ％ @ 1兆赫 |
| 基于钛酸酯 |
Y |
12000 |
+22 / -82% (-30 to +85 C) | -55到+125度。 C |
< 4.00 ％ @ 1兆赫 |
